一個由科學家改裝的家用微波爐，正在幫助制造下一代手機、電腦和其他電子產(chǎn)品。這項發(fā)明被證明克服了半導體行業(yè)面臨的一個重大挑戰(zhàn)。

相關研究結果以“Efficient and stable activation by microwave annealing of nanosheet silicon doped with phosphorus above its solubility limit”為題，發(fā)表在科學期刊《應用物理學快報》（Applied Physics Letters）上。康奈爾大學材料科學與工程系教授 James Hwang 為改論文的通訊作者之一。

（來源：Applied Physics Letters）

隨著芯片尺寸變得越來越小，要想產(chǎn)生所需的電流，硅必須摻雜或混合更高濃度的磷。如今，半導體制造商正面臨著一個臨界極限，即使用傳統(tǒng)方法來加熱高摻雜材料已經(jīng)無法生產(chǎn)出性能穩(wěn)定的半導體。

半導體制造商臺積電（TSMC）認為，微波在理論上可以用來激活過量的摻雜劑。但是，就像家用微波爐有時會不均勻地加熱食物一樣，之前的微波退火裝置往往會產(chǎn)生“駐波”（standing waves），從而阻止摻雜劑的一致激活。

圖｜電子顯微鏡下的芯片（來源：維基百科）

為此，臺積電與 Hwang 合作，通過一個改進的微波爐選擇性地控制駐波發(fā)生的位置，從而可以在不過度加熱或損壞硅晶體的前提下，恰到好處地激活摻雜劑。

對此，Hwang 表示：“這一發(fā)現(xiàn)可以用于制造 2025 年前后生產(chǎn)的半導體材料和電子產(chǎn)品?！?

甚至，Hwang 還說道：“目前，只有少數(shù)企業(yè)在生產(chǎn) 3 納米的半導體材料。這種新的微波方法有可能使臺積電（TSMC）和三星（Samsung）等芯片制造商將尺寸縮小到 2 納米?！?

圖｜在改裝微波爐旁邊的 James Hwang（右）。

據(jù)介紹，這一突破可能會改變芯片中使用的晶體管的幾何形狀。

20 多年來，為了保證每個芯片上能裝載更多的晶體管，晶體管被制作成像背鰭一樣直立。

近年來，芯片制造商開始試驗一種新的結構，在這種結構下，晶體管可以呈水平堆疊狀。而微波退火使更多摻雜的材料成為可能，這是實現(xiàn)新結構的關鍵。(來源：快科技）

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