半導(dǎo)體已經(jīng)進入原子級加工水平，在這個精度上進行半導(dǎo)體器件制造，需要集合50多個學(xué)科的知識與技術(shù)。而且，加工精度只是一個維度，良率對半導(dǎo)體制造生死攸關(guān)，因此均勻性、穩(wěn)定性、重復(fù)性、可靠性和潔凈性都很重要，先進半導(dǎo)體加工環(huán)節(jié)超過1000個，哪個環(huán)節(jié)出了問題，都難以制造出符合產(chǎn)品性能與良率要求的芯片。

根據(jù)市場研究機構(gòu)SEMI的統(tǒng)計，2020年中國大陸首次成為全球[敏感詞]半導(dǎo)體設(shè)備區(qū)域市場，銷售額年增39%，達到187.2億美元；中國臺灣排名第二，2020年設(shè)備商在臺灣地區(qū)銷售額達到171.5億美元；韓國排名第三，銷售額年增61%至160.8億美元；日本排名第四，銷售額也有75.8億美元。東亞地區(qū)成為全球半導(dǎo)體軍備競賽高地，2020年合計砸出595.3億美元，占當(dāng)年全球半導(dǎo)體設(shè)備支出總額（712億美元）比例高達83.6%。（溫馨提示：半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)資料可至后臺回復(fù)【半導(dǎo)體設(shè)備】領(lǐng)取）

由于地緣政治對于半導(dǎo)體供應(yīng)鏈影響加劇，2021年各區(qū)域市場對半導(dǎo)體產(chǎn)能投資競爭白熱化。臺積電和三星均將2021年在半導(dǎo)體上的資本支出計劃調(diào)至300億美元以上，兩家在先進工藝量產(chǎn)進度上拼死相爭，都預(yù)計2022年量產(chǎn)3納米工藝，而在美國政府召喚下，臺積電和三星也將赴美設(shè)廠。毫無疑問，2021年又將是半導(dǎo)體設(shè)備廠商的一個豐收年，而中國大陸由于受到相關(guān)限制，無法購買高端EUV光刻機等設(shè)備，恐難守住[敏感詞]設(shè)備市場寶座。

在臺灣工業(yè)技術(shù)研究院（以下簡稱臺灣工研院）看來，不同區(qū)域市場對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展目標(biāo)不同：作為全球[敏感詞]半導(dǎo)體應(yīng)用市場，中國大陸在供應(yīng)鏈安全受到威脅的背景下，無疑更希望加快技術(shù)追趕，以緩解在制造、設(shè)備與材料等關(guān)鍵環(huán)節(jié)受控于人的現(xiàn)狀；而美國作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主導(dǎo)者，將繼續(xù)加強高端芯片制造設(shè)備對中國大陸的出口管制，美國也將出臺新政以應(yīng)對近年來美國晶圓制造能力下降的局面；作為全球晶圓制造密度[敏感詞]的兩個地區(qū)，中國臺灣與韓國將有希望繼續(xù)引領(lǐng)晶圓制造工藝發(fā)展趨勢，這兩個區(qū)域也將借助強大的制造能力，改善上游的材料與設(shè)備自主狀況。

先進工藝發(fā)展方向

在28納米之后，平面晶體管工藝達到極限，F(xiàn)inFET（鰭式晶體管）延續(xù)了摩爾定律，將工藝節(jié)點推進到現(xiàn)在的10納米以下。不過FinFET路線也已經(jīng)接近極限，三星將在3納米工藝上率先采用GAA（全環(huán)繞柵極）結(jié)構(gòu)，臺積電則在3納米節(jié)點繼續(xù)FinFET結(jié)構(gòu)，到2納米節(jié)點再采用GAA結(jié)構(gòu)。臺灣工研院認為，英特爾在晶圓制造上遇到了麻煩，7納米工藝（注：三家對工藝尺寸定義各有區(qū)別，不適合直接拿數(shù)字對比）或?qū)⒀又?023年才能量產(chǎn)，預(yù)計英特爾在5納米節(jié)點也將改為GAA架構(gòu)。

資料來源：臺灣工業(yè)技術(shù)研究院

GAA 全稱 Gate-All-Around ，是一種環(huán)繞式柵極技術(shù)晶體管，也叫做 GAAFET。其概念提出很早，比利時 IMEC Cor Claeys 博士及其研究團隊于 1990 年發(fā)表文章中提出。GAAFET 相當(dāng)于 3D FinFET 的改良版，這項技術(shù)下的晶體管結(jié)構(gòu)又變了，柵極和漏極不再是鰭片的樣子，而是變成了一根根 “小棍子”，垂直穿過柵極，這樣，柵極就能實現(xiàn)對源極、漏極的四面包裹。

資料來源：臺灣工業(yè)技術(shù)研究院

對比FinFET，原來源極漏極半導(dǎo)體是鰭片（Fin），而現(xiàn)在柵極變成了鰭片。所以 GAAFET 和 3D FinFET 在實現(xiàn)原理和思路上有很多相似的地方——這對晶圓廠而言是很大優(yōu)勢。從三接觸面到四接觸面，并且還被拆分成好幾個四接觸面，顯然柵極對電流的控制力又進一步提高了。

相比FinFET工藝，GAA結(jié)構(gòu)具備更大的柵極接觸面積，從而提升了晶體管對導(dǎo)電通道的控制能力，并顯著改善電容等寄生參數(shù)，因而可以降低工作電壓，減少漏電流，降低功耗與工作溫度，從而有利于提高集成度，以繼續(xù)延續(xù)摩爾定律。

由于新的結(jié)構(gòu)所需的生產(chǎn)工藝與鰭式晶體管相似，關(guān)鍵工藝步驟幾乎一樣，可以繼續(xù)使用現(xiàn)有的設(shè)備以及技術(shù)成果，對臺積電和三星而言，這無疑是代價[敏感詞]的技術(shù)路線更換方案。但GAA對加工精度要求進一步提高，需要區(qū)域選擇性沉積技術(shù)與原子級加工能力，因而材料工程重要性提升，也將帶動更多沉積與蝕刻設(shè)備商機。

五巨頭把控的半導(dǎo)體前道設(shè)備市場

雖然2020年全球超過8成設(shè)備銷往東亞地區(qū)，但除了日本，中（大陸加臺灣）韓在設(shè)備業(yè)上影響力都不大。全球前五大半導(dǎo)體前道（即晶圓制造，封裝為后道）設(shè)備廠商應(yīng)用材料（AMAT）、阿斯麥（ASML）、泛林（Lam）、東京電子（TEL）和科磊（KLA）占據(jù)市場份額超過七成，其中只有東京電子總部在東亞，其余都是美歐企業(yè)。

資料來源：臺灣工業(yè)技術(shù)研究院

具體來看，應(yīng)用材料排名[敏感詞]。其2020年營收172億美元，其中半導(dǎo)體業(yè)務(wù)約占7成。應(yīng)用材料在半導(dǎo)體設(shè)備上布局極廣，其中PVD（薄膜沉積）設(shè)備全球占比38%，CMP（研磨拋光）設(shè)備占比70%，蝕刻設(shè)備占比15%，離子注入機占比67%。

阿斯麥排名第二，2020年營收139.8億歐元。阿斯麥?zhǔn)枪饪虣C大廠，在EUV（極紫外光）光刻機上更是目前全球[敏感詞]的供應(yīng)商，得益于臺積電、三星和英特爾對先進工藝的追求，2020年阿斯麥銷售31臺EUV光刻機，共計45億歐元，僅這31臺EUV光刻機就占其總營收32%。當(dāng)前，ASML正聯(lián)合供應(yīng)鏈伙伴共同研發(fā)以推進更精細光刻加工技術(shù)，例如2020年推出多條電子束檢測掃描系統(tǒng)，并將電子束與電子束之間的干擾限制在了2%以下，適用于5納米節(jié)點以上的制程。阿斯麥還與泛林和imec合作開發(fā)干光刻膠技術(shù)，以提升EUV解析度，并減少光刻膠用量。并聯(lián)合Lasertec研發(fā)新一代EUV光罩檢測技術(shù)以降低成本，與臺積電合作開發(fā)新一代EUV光罩潔凈技術(shù)以降低成本。

東京電子2020年設(shè)備銷售額為103.7億美元，排名第三。東京電子涂膠顯影設(shè)備市場份額占全球比例高達91%，其中EUV涂膠顯影機更是獨占全部市場份額，蝕刻機占全球比例為25%，沉積設(shè)備37%，清洗設(shè)備27%。2020年至2022年，東京電子計劃投入4000億日元研發(fā)經(jīng)費，重點投入在選擇性沉積、智能蝕刻、超臨界流體清洗等技術(shù)方向。

泛林半導(dǎo)體2020年營收為100.5億美元，排名第四。泛林是全球蝕刻設(shè)備龍頭，其中存儲器制造業(yè)務(wù)占比57%，邏輯工藝占比43%，是前五大設(shè)備廠商中，[敏感詞]存儲器業(yè)務(wù)占比超五成的公司。如前所述，泛林和阿斯麥與imec在開發(fā)EUV干式光刻膠技術(shù)。

科磊半導(dǎo)體2020年營收為58.1億美元，排名第五?？评谑侨蚓A檢測設(shè)備龍頭，市場份額約占五成以上?？评谠趹?yīng)力變形量測、多光束檢測，也投入力量開發(fā)小于5納米結(jié)構(gòu)的電子束缺陷量測技術(shù)。

資料來源：臺灣工業(yè)技術(shù)研究院

根據(jù)臺灣工研院的估計，全球關(guān)鍵半導(dǎo)體設(shè)備在今后幾年成長勢頭都非常好，除了DUV（深紫外）光刻設(shè)備，其余設(shè)備均呈正增長態(tài)勢。其中ALD（原子層沉積）增長率[敏感詞]，預(yù)計2020年至2025年期間，年均增長率達到26.3%，EUV設(shè)備增長率排名第二，年均增長率也達兩位數(shù)。而以金額計EUV設(shè)備則獨占鰲頭，預(yù)計2025年EUV設(shè)備銷售額達到125.5億美元，超過蝕刻機，成為各細分方向銷售額[敏感詞]的半導(dǎo)體設(shè)備。

資料來源：臺灣工業(yè)技術(shù)研究院

中國設(shè)備廠商任重道遠

與國際廠商相比，無論是銷售規(guī)模上，還是技術(shù)上，中國設(shè)備廠商差距都很大。根據(jù)電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)，2019年國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為161.82億元，只有前五大守門的科磊2019年收入（46億美元）的一半左右，該協(xié)會在2020年10月估算，2020年國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額總計可達213億元，與科磊（58億美元）相比，仍不足其60%。

國內(nèi)外主要半導(dǎo)體設(shè)備公司對比（截至2021年1月6日）

資料來源：德邦證券

技術(shù)上，我國半導(dǎo)體設(shè)備基本還未參與到先進制程（3納米及以下）研發(fā)階段中，目前也尚不能支持28納米這樣的準(zhǔn)主流工藝實現(xiàn)全國產(chǎn)化，大部分國產(chǎn)設(shè)備廠商現(xiàn)在能商用的產(chǎn)品還是以成熟工藝產(chǎn)線為主。以社會關(guān)注度較高的光刻機為例，國內(nèi)主要是上海微電子裝備有限公司（簡稱“上海微電子”），上海微電子主流產(chǎn)品還只能滿足90納米、110納米等制程的光刻工藝要求。

但也有部分領(lǐng)域已經(jīng)參與到先進工藝競賽中。比如中微半導(dǎo)體在CCP刻蝕領(lǐng)域已經(jīng)獲得臺積電認可，進入其7納米/5納米產(chǎn)線；北方華創(chuàng)，則在ICP刻蝕設(shè)備上較為出色，28納米級以上刻蝕設(shè)備已經(jīng)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，在先進制程方面，硅刻蝕設(shè)備已經(jīng)突破14納米技術(shù)，進入上海集成電路研發(fā)中心。

根據(jù)《中國制造2025》目標(biāo)，2020年半導(dǎo)體核心基礎(chǔ)零部件、關(guān)鍵基礎(chǔ)材料應(yīng)實現(xiàn)40％的自主率，2025年要達到70％國產(chǎn)化率。但根據(jù)長江存儲、華力微電子等國內(nèi)十家晶圓制造企業(yè)2017年至2021年一季度的公開招標(biāo)信息來看，國產(chǎn)化率距離目標(biāo)還很遠。2017至2019年，這十家廠商合計開標(biāo)4197臺設(shè)備，其中國產(chǎn)設(shè)備為431臺，國產(chǎn)化率約為10.3%；而2020年至2021年一季度這十家晶圓廠合計開標(biāo)1862臺設(shè)備，其中國產(chǎn)設(shè)備達315臺，推算目前國產(chǎn)化率在17%，較2017至2019年增長超過6個百分點。

左：2017-2019年十大晶圓廠設(shè)備國產(chǎn)化率

右：2020-2021年一季度十大晶圓廠設(shè)備國產(chǎn)化率

資料來源：德邦證券

但國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備在過去幾年也呈現(xiàn)出非常積極的變化。在技術(shù)上，以中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)和屹唐半導(dǎo)體等為首的企業(yè)在刻蝕、沉積、干法去膠、清洗、離子注入等領(lǐng)域已經(jīng)接近國際一流廠商。在市占率上，部分產(chǎn)品市占率已經(jīng)超過20%，對國際半導(dǎo)體設(shè)備廠商市場地位發(fā)起了有力沖擊。

在十大晶圓廠公布的招標(biāo)信息中可以看出，2017年至2021年一季度，干法去膠設(shè)備國產(chǎn)化率達到45.5%，而清洗設(shè)備（30.6%）、刻蝕設(shè)備（22.2%）、拋光設(shè)備（21.6%）國產(chǎn)化率均高于20%，爐管設(shè)備（14.7%）和涂膠顯影設(shè)備（10.0%）均高于10%，沉積設(shè)備（8.5%）和前道檢測設(shè)備（5.2%）國產(chǎn)化率就比較低了，僅在5%至10%之間，差距[敏感詞]的是離子注入機（2.4%）、后道測試設(shè)備（1.9%）和光刻機（1.6%）。

而進入2020年以后，國產(chǎn)化率提升更快。從十大晶圓廠開標(biāo)數(shù)據(jù)來看，在2020至2021一季度，拋光設(shè)備、刻蝕設(shè)備、爐管設(shè)備和涂膠顯影設(shè)備的國產(chǎn)化率均比2017至2019階段國產(chǎn)化率增長超過兩位數(shù)。

從全球半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)發(fā)展趨勢來看，隨著半導(dǎo)體工藝接近物理極限，開發(fā)新一代設(shè)備越來越難。以EUV光刻機為例，早在上世紀(jì)九十年代就立項，全球四十多個國家近200個研究機構(gòu)（歐洲貢獻了100多個）參與其中，從基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)到系統(tǒng)集成，整個研發(fā)系統(tǒng)投入超過千億人民幣，超過我國過去十年設(shè)備業(yè)總收入。

中微半導(dǎo)體董事長尹志堯在接受媒體采訪時也表示，半導(dǎo)體已經(jīng)進入原子級加工水平，在這個精度上進行半導(dǎo)體器件制造，需要集合50多個學(xué)科的知識與技術(shù)。他指出，等離子體刻蝕已刻出人頭發(fā)絲直徑幾千分之一到上萬分之一的細孔，孔直徑的準(zhǔn)確度、均勻性和重復(fù)性已可達到頭發(fā)絲的幾萬到十萬分之一。一臺刻蝕機每年加工超過百萬萬億個又細又深的接觸孔，幾乎百分之百的孔要被完全打開。

半導(dǎo)體設(shè)備不僅要能實現(xiàn)非常精細的加工，最重要的是均勻性、穩(wěn)定性、重復(fù)性、可靠性和潔凈性。只要做到這些，才能滿足芯片合格率這個晶圓制造的核心訴求。要保證可以接受的合格率（例如90%），就要求每個加工制造環(huán)節(jié)都有極高的合格率，因為目前先進制程芯片需要1000個工藝步驟，如果每一步合格率為99.9%，則1000個步驟后最終合格率只有36.77%。

而作為現(xiàn)代智能制造的代表，全球信息化產(chǎn)業(yè)的底層支撐，芯片制造很少給新設(shè)備廠商試錯機會。歷經(jīng)千辛萬苦開發(fā)出樣機只完成了開發(fā)生產(chǎn)設(shè)備的一小部分，要說服晶圓制造廠商冒著合格率與產(chǎn)能下降的風(fēng)險幫忙試車才是更難的部分，尹志堯表示，樣機做出來，客戶愿意配合，還要通過至少80多個嚴(yán)苛測試項目，才能最終達到晶圓廠的要求。

從國際廠商發(fā)展歷史經(jīng)驗來看，設(shè)備業(yè)要站穩(wěn)市場，來不得半點冒進，一定要做好長期研發(fā)投入，夯實技術(shù)基礎(chǔ)。如尹志堯說，半導(dǎo)體設(shè)備需要50個學(xué)科協(xié)同，難度不亞于兩彈一星。“半導(dǎo)體工業(yè)關(guān)鍵核心零部件之一的磁懸浮分子泵，在國際上只有兩三家能做，每一件事情都需要長期的技術(shù)積累。”

得益于全球化，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)才發(fā)展到如今的規(guī)模，但自特朗普政府上臺之后，美國以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為[敏感詞]，對中國發(fā)動科技戰(zhàn)，已經(jīng)嚴(yán)重影響了全球電子信息產(chǎn)業(yè)之前建立的供應(yīng)鏈互信機制。作為全球最重要的電子信息產(chǎn)業(yè)制造基地，打造不受地緣政治影響的新型半導(dǎo)體供應(yīng)鏈至關(guān)重要，而每當(dāng)一項技術(shù)真正實現(xiàn)真正的市場突破（例如市占率達到20%），《瓦森納協(xié)定》中的對應(yīng)限制項目也就失去了意義。當(dāng)前，設(shè)備國產(chǎn)化率能否有效提升，已經(jīng)成為全球電子信息產(chǎn)業(yè)能否良性發(fā)展的關(guān)鍵因素。中國在晶圓制造上的快速擴張，為國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商提供了廣闊的市場空間與試錯機會，對國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商而言，這是[敏感詞]的歷史機遇。

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