從2018年開(kāi)始，多款基于氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)的快充充電器相繼量產(chǎn)，氮化鎵也正式開(kāi)啟了在消費(fèi)類電源領(lǐng)域商用。

 

近日，氮化鎵半導(dǎo)體材料被正式寫(xiě)入“十四五規(guī)劃”中，這就意味著氮化鎵產(chǎn)業(yè)將在未來(lái)的發(fā)展中獲得國(guó)家層面的大力扶持，前景十分值得期待。

 

氮化鎵（gallium nitride，GaN）屬于第三代半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅（Si）技術(shù)加快了二十倍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率，用于[敏感詞]快速充電器產(chǎn)品時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)現(xiàn)有產(chǎn)品的性能，在尺寸相同的情況下，輸出功率提高了三倍。

 

氮化鎵新技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域廣闊，覆蓋5G通信、人工智能、自動(dòng)駕駛、數(shù)據(jù)中心、快充等等，這其中快充市場(chǎng)發(fā)展最為迅猛，成為先進(jìn)技術(shù)普惠大眾的一個(gè)標(biāo)桿應(yīng)用，可謂是人人都能享受到新技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室走向市場(chǎng)的便利；而快充出貨量、需求量龐大，也反哺了氮化鎵技術(shù)的不斷迭代?？斐渑c氮化鎵，堪稱天生一對(duì)。

憑借優(yōu)秀的性能，兩年來(lái)氮化鎵技術(shù)在快充電源方面的發(fā)展一路突飛猛進(jìn)，普及速度十分快，獲得越來(lái)越來(lái)越多品牌客戶和消費(fèi)者的認(rèn)可。而作為氮化鎵快充的核心器件，GaN功率芯片也一直都是大家關(guān)注的焦點(diǎn)。

充電頭網(wǎng)通過(guò)長(zhǎng)期跟蹤調(diào)研了解到，近兩年時(shí)間里，業(yè)內(nèi)GaN功率芯片供應(yīng)商也從起初的一兩家迅速增長(zhǎng)至十余家。今天這篇文章就是帶大家詳細(xì)的了解一下當(dāng)前快充領(lǐng)域的氮化鎵功率芯片領(lǐng)域的主要玩家。

眾多廠商入局氮化鎵功率器件

面對(duì)日益增長(zhǎng)的快充市場(chǎng)，全球范圍內(nèi)已有納微、PI、英諾賽科、英飛凌、意法半導(dǎo)體、Texas Instruments、GaNsystems、艾科微、聚能創(chuàng)芯、東科半導(dǎo)體、氮矽科技、鎵未來(lái)、量芯微、Transphorm、能華、芯冠科技等16家氮化鎵功率芯片供應(yīng)商。

值得一提的是，英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地在去年9月舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開(kāi)始由廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，標(biāo)志著全球[敏感詞]氮化鎵工廠正式建設(shè)完成，同時(shí)也預(yù)示中國(guó)功率半導(dǎo)體步入一個(gè)嶄新時(shí)代。

 

充電頭網(wǎng)通過(guò)整理了解到，目前市面上合封氮化鎵芯片可分為以下四種類型：

控制器+驅(qū)動(dòng)器+GaN：這種方式以老牌電源芯片品牌PI為代表，其基于InSOP-24D封裝，推出了十余款合封主控、氮化鎵功率器件、同步整流控制器等的高集成氮化鎵芯片，PowiGaN芯片獲眾多品牌青睞，成為了合封氮化鎵快充芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者。

此外在本土供應(yīng)商中，東科半導(dǎo)體率先推出兩款合封氮化鎵功率器件的主控芯片DKG045Q和DKG065Q， 對(duì)應(yīng)的[敏感詞]輸出功率分別為45W和65W。這兩款芯片在節(jié)約系統(tǒng)成本，加速產(chǎn)品上市方面均有著巨大的優(yōu)勢(shì)，并有望在2021年量產(chǎn)。

驅(qū)動(dòng)器+GaN：這種合封的氮化鎵功率芯片以納微半導(dǎo)體為主要代表，其為業(yè)界[敏感詞]推出內(nèi)置驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率芯片的廠商，憑借精簡(jiǎn)的外圍設(shè)計(jì)，獲得廣大工程師及電源廠商青睞，在2020年底，達(dá)成芯片出貨量突破1300萬(wàn)顆的好成績(jī)。

驅(qū)動(dòng)器+2*GaN：合封兩顆氮化鎵功率器件以及驅(qū)動(dòng)器的雙管半橋產(chǎn)品，其集成度較傳統(tǒng)的氮化鎵功率器件更高。這類產(chǎn)品應(yīng)用于ACF架構(gòu)，以及LLC架構(gòu)的氮化鎵快充產(chǎn)品中，可以實(shí)現(xiàn)更加精簡(jiǎn)的外圍設(shè)計(jì)。目前納微半導(dǎo)體、英飛凌、意法半導(dǎo)體等廠商在這類合封氮化鎵芯片方面均有布局。

驅(qū)動(dòng)器+保護(hù)+GaN：納微半導(dǎo)體近期推出了新一代氮化鎵功率芯片NV6128，集成GaN FET、驅(qū)動(dòng)器和邏輯保護(hù)器件。將保護(hù)電路也加入氮化鎵器件中，通過(guò)整合開(kāi)關(guān)管和邏輯電路，可得到更低的寄生參數(shù)以及更短的響應(yīng)時(shí)間。該芯片可以實(shí)現(xiàn)數(shù)字輸入，功率輸出高性能，電源工程師可基于此設(shè)計(jì)出更快更小更高速的電源。

氮化鎵芯片品牌盤(pán)點(diǎn)

以下排名不分先后，僅按照品牌首字母排序，方便讀者查閱。

ARK艾科微

 

艾科微電子專注于高功率密度整體方案開(kāi)發(fā), 并以解決高功率密度電源系統(tǒng)帶來(lái)的痛點(diǎn)與瓶頸為使命, 核心團(tuán)隊(duì)具備超過(guò) 20 年專業(yè)經(jīng)驗(yàn)于功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè), 我們透過(guò)不斷的創(chuàng)新及前瞻的系統(tǒng)架構(gòu)并深入結(jié)合功率器件及高效能封裝, 來(lái)實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)、高效能與純凈的電源系統(tǒng)，以滿足市場(chǎng)對(duì)未來(lái)的需求。

艾科微在AC/DC 快充方案上不僅推出原副邊芯片, 另有自主的開(kāi)發(fā)MOSFET功率器件。伴隨各種應(yīng)用上電子產(chǎn)品針對(duì)高功率密度之強(qiáng)烈需求，我們承諾持續(xù)投資、創(chuàng)新、研發(fā)并一同與我們的合作伙伴引領(lǐng)市場(chǎng)、開(kāi)創(chuàng)未來(lái)。

Cohenius聚能創(chuàng)芯

 

青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司成立于2018年7月，公司坐落于青島國(guó)際創(chuàng)新園區(qū)，主要從事第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵（GaN）的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售，專注于為業(yè)界提供高性能、低成本的GaN功率器件產(chǎn)品和技術(shù)解決方案。

聚能創(chuàng)芯掌握業(yè)界領(lǐng)先的GaN功率器件與應(yīng)用設(shè)計(jì)技術(shù)，致力于整合業(yè)界優(yōu)勢(shì)資源，打造GaN器件開(kāi)發(fā)與應(yīng)用生態(tài)系統(tǒng)，為PD快充、智能家電、云計(jì)算、5G通訊等提供國(guó)產(chǎn)化核心元器件支持。

背靠上市公司賽微電子（300456）與知名投資基金支持，聚能創(chuàng)芯建立了業(yè)界領(lǐng)先的管理和技術(shù)團(tuán)隊(duì)。在產(chǎn)品研發(fā)與量產(chǎn)過(guò)程中，始終堅(jiān)持高品質(zhì)與高可靠性的要求。在得到合作伙伴廣泛認(rèn)同的同時(shí)，逐步成為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)際知名企業(yè)。

在消費(fèi)類電源領(lǐng)域，聚能創(chuàng)芯面向快充應(yīng)用國(guó)產(chǎn)化GaN材料和器件技術(shù)解決方案，并基于現(xiàn)有的氮化鎵功率器件推出全新65W、100W、120W氮化鎵快充參考設(shè)計(jì)。

Corenergy能華

 

江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司是由留美歸國(guó)博士于2010年創(chuàng)建。團(tuán)隊(duì)匯集了眾多海內(nèi)外的專業(yè)人才，是一家專業(yè)設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)、制造和銷售高性能氮化鎵外延、晶圓、器件及模塊的高科技公司。

氮化鎵（GaN）是新一代復(fù)合半導(dǎo)體的代表，江蘇能華已建立了GaN功率器件生產(chǎn)線。項(xiàng)目計(jì)劃總投資50個(gè)億，分期投資。預(yù)計(jì)[敏感詞]期投資超10個(gè)億。公司于2017年搬入張家港國(guó)家再制造產(chǎn)業(yè)園，新廠房占地3萬(wàn)平方，擁有萬(wàn)級(jí)、千級(jí)以及百級(jí)的無(wú)塵車(chē)間，并配備有先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備以及專業(yè)的技術(shù)人員。

DANXI氮矽科技

 

成都氮矽科技有限公司是一家專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件與IC研發(fā)的科技型公司，專注于氮化鎵功率器件及其驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì)研發(fā)、銷售及方案提供，公司兩位創(chuàng)始人均擁有超過(guò)5年的氮化鎵領(lǐng)域相關(guān)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。

氮矽科技于2020年3月發(fā)布國(guó)內(nèi)[敏感詞]氮化鎵超高速驅(qū)動(dòng)器DX1001，同年4月推出國(guó)內(nèi)多款量產(chǎn)級(jí)別的650V氮化鎵功率芯片DX6515/6510/6508，搭配該公司的驅(qū)動(dòng)芯片，進(jìn)軍PD快充行業(yè)。

值得一提的是，氮矽科技還推出了業(yè)內(nèi)最小尺寸、最強(qiáng)散熱能力的650V/160mΩ氮化鎵晶體管，引領(lǐng)氮化鎵產(chǎn)業(yè)革命?；诂F(xiàn)有的氮化鎵功率器件，氮矽科技推出4套國(guó)產(chǎn)GaN快充參考設(shè)計(jì)，豐富快充電源工程師的產(chǎn)品選型需求。

DONGKE東科

 

安徽省東科半導(dǎo)體有限公司于2009年成立，總部位于安徽省馬鞍山市，主要從事開(kāi)關(guān)電源芯片、同步整流芯片、BUCK電路電源芯片等產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售；并成立深圳及無(wú)錫全資子公司和印度公司，負(fù)責(zé)全球市場(chǎng)銷售及技術(shù)支持。

東科半導(dǎo)體在北京、青島、無(wú)錫、深圳多地成立研發(fā)中心，多名海歸博士主持研發(fā)探索，在安徽馬鞍山擁有2萬(wàn)平方米的封裝車(chē)間和品質(zhì)實(shí)驗(yàn)室，擁有DIP-8/SOP-8/SM-7/SM-10/TO-220等多種產(chǎn)品封裝能力；在東科半導(dǎo)體總部成立的馬鞍山集成電路國(guó)家實(shí)驗(yàn)室，具備對(duì)芯片進(jìn)行開(kāi)封、失效分析、中測(cè)、劃片、高低溫測(cè)試等多種分析能力，為公司產(chǎn)品品質(zhì)和供貨提供可靠保障。

針對(duì)快充領(lǐng)域的應(yīng)用，東科半導(dǎo)體推出了業(yè)界首顆合封氮化鎵功率器件的電源芯片，成為了國(guó)產(chǎn)氮化鎵快充發(fā)展史上的里程碑。

GaN system氮化鎵系統(tǒng)公司

 

GaN Systems于2008年成立于加拿大首都渥太華，創(chuàng)始人是前北電的資深功率半導(dǎo)體專家。公司專注于增強(qiáng)型氮化鎵功率器件的開(kāi)發(fā)，提供高性能、高可靠性的增強(qiáng)型硅基GaN HEMT功率器件。

GaN Systems擁有專利的GaN芯片設(shè)計(jì)，GaNPx 芯片級(jí)封裝技術(shù)和市場(chǎng)上最全的650V和 100V產(chǎn)品系列，涵蓋了從小功率消費(fèi)電子到幾十kW以上工業(yè)級(jí)電源應(yīng)用。

GaN Systems采用無(wú)晶圓廠模式，與[敏感詞]代工廠和供應(yīng)鏈合作。產(chǎn)品自2014年開(kāi)始量產(chǎn)以來(lái)，在全球范圍服務(wù)超過(guò)2000家客戶。在中日韓和北美及歐洲設(shè)有銷售分公司和應(yīng)用支持。據(jù)了解，目前GaN Systems的氮化鎵功率芯片已經(jīng)進(jìn)入飛利浦快充供應(yīng)鏈。

GaNext鎵未來(lái)

 

珠海鎵未來(lái)科技有限公司成立于2020年10月，公司致力于第三代半導(dǎo)體GaN-on-Si器件技術(shù)創(chuàng)新和領(lǐng)先。通過(guò)高起點(diǎn)、強(qiáng)隊(duì)伍等，實(shí)現(xiàn)GaN技術(shù)的國(guó)產(chǎn)化，推動(dòng)GaN器件的技術(shù)的*，并且通過(guò)電源系統(tǒng)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)能源的綠色、高效利用。

公司創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)由3位資深GaN-on-Si技術(shù)/產(chǎn)業(yè)專家構(gòu)成，以深港微電子學(xué)院于洪宇教授和美國(guó)知名氮化鎵公司研發(fā)VP領(lǐng)銜，前華為GaN產(chǎn)業(yè)共同創(chuàng)始人加盟，構(gòu)建了完整的技術(shù)、制造、市場(chǎng)的鐵三角，厚積薄發(fā)。通過(guò)成熟領(lǐng)先的產(chǎn)品，推動(dòng)GaN技術(shù)國(guó)產(chǎn)化，依托中國(guó)巨大電源應(yīng)用市場(chǎng)和國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策的支持，向氮化鎵產(chǎn)業(yè)[敏感詞]進(jìn)軍，助力國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)目標(biāo)的突破。

GaNPower量芯微

 

蘇州量芯微半導(dǎo)體有限公司是加拿大GaNPower International Inc.在中國(guó)注冊(cè)成立的公司。GaNPower于2015年在加拿大成立，總部位于加拿大溫哥華市。GaNPower是全球氮化鎵功率器件行業(yè)的知名公司，目前產(chǎn)品主要為涵蓋不同電流等級(jí)及封裝形式的增強(qiáng)型氮化鎵功率器件及氮化鎵基電力電子先進(jìn)應(yīng)用解決方案。

蘇州量芯微半導(dǎo)體公于2019年榮獲蘇州工業(yè)園區(qū)第十三屆金雞湖科技領(lǐng)軍人才稱號(hào)；《氮化鎵功率器件及相關(guān)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用》被列為政府重點(diǎn)扶持項(xiàng)目。公司的氮化鎵功率器件產(chǎn)品榮獲行業(yè)權(quán)威大獎(jiǎng)：2020年ASPENCORE中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之年度功率器件獎(jiǎng)。公司目前擁有40項(xiàng)美國(guó)和中國(guó)的專利及申請(qǐng)。

據(jù)悉，量芯微半導(dǎo)體已經(jīng)推出650V氮化鎵功率器件，適用于45W-300W快充。

Innoscience英諾賽科

 

英諾賽科科技有限公司成立于2015年12月，[敏感詞]高新技術(shù)企業(yè)，致力于研發(fā)和生產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵功率器件與射頻器件；英諾賽科是全球[敏感詞]的氮化鎵功率器件IDM 企業(yè)之一， 擁有氮化鎵領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)最豐富的團(tuán)隊(duì)、先進(jìn)的8英寸機(jī)臺(tái)設(shè)備、加上系統(tǒng)的研發(fā)品控分析能力，造就英諾賽科氮化鎵產(chǎn)品一流品質(zhì)和性能的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

自從2017年建立全球首條8英寸增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率器件量產(chǎn)線以來(lái)， 目前英諾賽科已經(jīng)發(fā)布和銷售多款650V以下的氮化鎵功率器件，產(chǎn)品的各項(xiàng)性能指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，能廣泛應(yīng)用于多個(gè)新興領(lǐng)域， 如快充、5G 通信、人工智能、自動(dòng)駕駛、數(shù)據(jù)中心等等。

目前，英諾賽科已經(jīng)建成了全球[敏感詞]的氮化鎵工廠，在USB PD氮化鎵快充市場(chǎng)，英諾賽科650V高壓氮化鎵功率器件已經(jīng)在努比亞、魅族、MOMAX、ROCK等眾多知名品牌產(chǎn)品中得到應(yīng)用，并在近期推出第二代InnoGaN產(chǎn)品，性能較上一代有顯著提升。

此外，英諾賽科還推出了多款低壓GaN功率器件，適用于同步整流、DC-DC電壓轉(zhuǎn)換以及激光雷達(dá)等領(lǐng)域。在全球市場(chǎng)中，英諾賽科是少有具備氮化鎵高壓、低壓全品類產(chǎn)品線的IDM芯片原廠。

infineon英飛凌

 

英飛凌科技股份公司是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體科技公司，我們讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。英飛凌的微電子產(chǎn)品和解決方案將帶您通往美好的未來(lái)。2020財(cái)年（截止9月30日），公司的銷售額達(dá)85億歐元，在全球范圍內(nèi)擁有約46,700名員工。2020年4月，英飛凌正式完成了對(duì)賽普拉斯半導(dǎo)體公司的收購(gòu)，成功躋身全球十大半導(dǎo)體制造商之一。

英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部提供應(yīng)用廣泛的電源、連接、射頻（RF）及傳感技術(shù)，讓充電設(shè)備、電動(dòng)工具、照明系統(tǒng)在變得更小、更輕便的同時(shí)，還能提升能效。新一代的硅基/寬禁帶半導(dǎo)體解決方案（碳化硅/氮化鎵）將為5G、大數(shù)據(jù)及可再生能源應(yīng)用，帶來(lái)前所未有的突出性能和可靠性。

高精度XENSIV?傳感器解決方案為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備賦予了人類的感官功能，讓這些設(shè)備能夠感知周遭的環(huán)境，并做出“本能”反應(yīng)。音頻放大器產(chǎn)品擴(kuò)充了電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部的產(chǎn)品線，讓智能音箱及其它音頻應(yīng)用設(shè)備能夠提供卓越的音質(zhì)體驗(yàn)。

Navitas納微

 

納微半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先氮化鎵功率IC公司，成立于2014年，總部位于愛(ài)爾蘭，擁有一支強(qiáng)大且不斷壯大的功率半導(dǎo)體行業(yè)專家團(tuán)隊(duì)，在材料、器件、應(yīng)用、系統(tǒng)、設(shè)計(jì)和市場(chǎng)營(yíng)銷方面，擁有行業(yè)領(lǐng)先的豐富經(jīng)驗(yàn)，公司創(chuàng)始者擁有320多項(xiàng)專利。

GaNFast功率IC將GaN功率（FET）與驅(qū)動(dòng)，控制和保護(hù)集成在一起，可為移動(dòng)、消費(fèi)電子、企業(yè)、電動(dòng)交通和新能源市場(chǎng)提供更快的充電，更高的功率密度和更強(qiáng)大的節(jié)能效果。納微在GaN器件、芯片設(shè)計(jì)、封裝、應(yīng)用和系統(tǒng)的所有方面已發(fā)布和正在申請(qǐng)的專利超過(guò)120項(xiàng)，已完成生產(chǎn)并成功交付了超過(guò)1300萬(wàn)顆GaNFast氮化鎵功率IC，產(chǎn)品質(zhì)量和出貨量全球領(lǐng)先。

近期，納微半導(dǎo)體也推出了[敏感詞]一代氮化鎵功率芯片NV6128，內(nèi)置驅(qū)動(dòng)和保護(hù)功能，適用于大功率快充產(chǎn)品。憑借優(yōu)異的產(chǎn)品性能，納微半導(dǎo)體已經(jīng)成為小米、OPPO、聯(lián)想、戴爾、LG等眾多知名品牌的氮化鎵芯片供應(yīng)商，基于GaNFast芯片開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品多達(dá)百余款。

PI

 

Power Integrations 是一家專注于高壓電源管理及控制領(lǐng)域的高性能電子元器件及電源方案的供應(yīng)商，總部位于美國(guó)硅谷。

PI所推出的集成電路和二極管為包括移動(dòng)設(shè)備、家電、智能電表、LED燈以及工業(yè)應(yīng)用的眾多電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)出小巧緊湊的高能效AC-DC電源。SCALE? 門(mén)極驅(qū)動(dòng)器可提高大功率應(yīng)用的效率、可靠性和成本效益，其應(yīng)用領(lǐng)域包括工業(yè)電機(jī)、太陽(yáng)能和風(fēng)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)和高壓直流輸電等。

自1998年問(wèn)世以來(lái)，Power Integrations的EcoSmart®節(jié)能技術(shù)已節(jié)省了數(shù)十億美元的能耗，避免了數(shù)以百萬(wàn)噸的碳排放。由于產(chǎn)品對(duì)環(huán)境保護(hù)的作用，Power Integrations的股票已被歸入到由Cleantech Group LLC及Clean Edge贊助的環(huán)保技術(shù)股票指數(shù)下。

充電頭網(wǎng)拆解了解到，PI的氮化鎵芯片已被小米、OPPO、ANKER、綠聯(lián)、belkin等多個(gè)品牌的快充產(chǎn)品采用。此外，PI還推出了全新的MinE-CAP IC，用于快充充電器時(shí)，體積可縮小40％。

ST意法半導(dǎo)體

 

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics; ST）是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，提供與日常生活息息相關(guān)的智能的、高能效的產(chǎn)品及解決方案。意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品無(wú)處不在，致力于與客戶共同努力實(shí)現(xiàn)智能駕駛、智能工廠、智慧城市和智能家居，以及下一代移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。享受科技、享受生活，意法半導(dǎo)體主張科技引領(lǐng)智能生活（life.augmented）的理念。意法半導(dǎo)體2018年凈收入96.6億美元，在全球擁有10萬(wàn)余客戶。

目前，ST意法半導(dǎo)體推出了一款GaN半橋器件，內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器和兩顆氮化鎵，并基于該芯片推出了一套推出65W氮化鎵快充參考設(shè)計(jì)。

Texas Instruments德州儀器

 

德州儀器 （Texas Instruments）是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，致力于設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試和銷售模擬和嵌入式處理芯片。數(shù)十年來(lái)，TI一直在不斷取得進(jìn)展，推出的80000多種產(chǎn)品可幫助約100000名客戶高效地管理電源、準(zhǔn)確地感應(yīng)和傳輸數(shù)據(jù)并在其設(shè)計(jì)中提供核心控制或處理，從而打入工業(yè)、汽車(chē)、個(gè)人電子產(chǎn)品、通信設(shè)備和企業(yè)系統(tǒng)等市場(chǎng)。

2020年11月10日，德州儀器推出了650V和600V兩款氮化鎵功率器件，進(jìn)一步豐富拓展了其高壓電源管理產(chǎn)品線。與現(xiàn)有解決方案相比，新的GaN FET系列采用快速切換的2.2 MHz集成柵極驅(qū)動(dòng)器，可幫助工程師提供兩倍的功率密度和高達(dá)99％的效率，并將電源磁性器件的尺寸減少59％。

Transphorm

 

Transphorm公司致力于設(shè)計(jì)、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體功率器件。Transphorm持有數(shù)量極為龐大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，在全球已獲準(zhǔn)和等待審批的專利超過(guò)1000多項(xiàng) ，是業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證的GaN FET的IDM企業(yè)之一。

得益于垂直整合的業(yè)務(wù)模式，Transphorm公司能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開(kāi)發(fā)的每一個(gè)階段進(jìn)行創(chuàng)新——包括設(shè)計(jì)、制造、器件和應(yīng)用支持。充電頭網(wǎng)拆解了解到，此前ROMOSS推出的一款65W氮化鎵充電器內(nèi)置的正式Transphorm公司的GaN器件。

XINGUAN芯冠科技

 

大連芯冠科技有限公司是全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延及器件制造商，致力于硅基氮化鎵外延與功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和推廣，擁有先進(jìn)的外延材料與功率器件生產(chǎn)線，提供650V全規(guī)格的功率器件產(chǎn)品，電源功率的應(yīng)用覆蓋幾十瓦到幾千瓦范圍。廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子（快充、大功率適配器等）、工業(yè)電子與汽車(chē)電子等領(lǐng)域。

芯冠氮化鎵功率器件的特點(diǎn)是兼容標(biāo)準(zhǔn)MOS驅(qū)動(dòng)，應(yīng)用設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單；抗擊穿電壓高達(dá)1500V以上，使用安心。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

從三年前GaN技術(shù)開(kāi)始在消費(fèi)類電源領(lǐng)域商用，到如今市售GaN快充已經(jīng)多達(dá)數(shù)百款，市場(chǎng)發(fā)展速度可謂是突飛猛進(jìn)。這一方面是借助各大手機(jī)、筆電廠商陸續(xù)入局的產(chǎn)生的品牌影效應(yīng)，另一方面也離不開(kāi)氮化鎵快充生態(tài)的日趨完善。

就充電頭網(wǎng)本次不完全統(tǒng)計(jì)，已經(jīng)布局快充市場(chǎng)的氮化鎵芯片供應(yīng)商已經(jīng)多達(dá)16家，方案多達(dá)數(shù)百款；并且涵蓋了多樣化的封裝方式，完全可以滿足當(dāng)前快充電源市場(chǎng)對(duì)核心器件的選型需求。

相信隨著國(guó)家十四五規(guī)劃對(duì)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的大力扶持，入局氮化鎵功率芯片的廠商數(shù)量將越來(lái)越多。不僅產(chǎn)品類型將會(huì)的得到進(jìn)一步完善，更重要的是當(dāng)?shù)壆a(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)規(guī)?；l(fā)展后，電源廠商開(kāi)發(fā)氮化鎵快充的成本將會(huì)得到優(yōu)化；而氮化鎵功率芯片也將成為越來(lái)越多高性能快充電源產(chǎn)品的[敏感詞]。

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