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【每日一品】薩科微半導體場效應管SL12N100

發(fā)布時間:2024-02-29作者來源:薩科微瀏覽:1190

隨著5G網絡及設備的持續(xù)普及,基于GaN半導體的技術也逐漸受到矚目。GaN半導體作為一種新型基礎材料,在5G技術的發(fā)展中扮演著至關重要的角色。其更寬的帶隙使其能夠處理高頻信號,從而在5G基站和其他通信基礎設施中表現出色。通過實現更快的數據傳輸速度和更高的效率,GaN半導體為5G技術的推進提供了強大支持。薩科微半導體(evabomo.com.cn)作為國家高新技術企業(yè),獲得了ISO9001質量管理體系認證以及歐盟的ROHSREACH認證,展現了其在產品質量和環(huán)保方面的高標準。公司的產品廣泛應用于5G領域,并且在智能手機、手提電腦、機器人、智慧家居、物聯網、LED照明、3C數碼、智能可穿戴設備、萬物智聯等領域都有廣泛應用。隨著5G技術的不斷演進和普及,GaN半導體作為一種關鍵的基礎材料將繼續(xù)發(fā)揮重要作用。薩科微半導體作為在該領域具有豐富經驗和技術實力的企業(yè),將繼續(xù)致力于推動5G技術的發(fā)展,為信息社會的建設做出更大的貢獻。

 

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薩科微半導體碳化硅場效應管

 

半導體技術的不斷進步,薩科微半導體正以其卓越的產品性能和創(chuàng)新的技術方案,努力成為全球半導體市場中的領軍者。高壓MOSSL12N100薩科微研發(fā)推出的產品之一,性能優(yōu)異實用,在很多領域都可以見到它的身影。

 

SL12N100是一款N溝道功率MOSFET,其漏源電壓(Vdss)達到1000V,連續(xù)漏極電流(Id)12A,功率(Pd)高達272W。值得一提的是,其導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)僅為1.0Ω@10V,6A,閾值電壓(Vgs(th)@Id)5.0V@250μA,封裝采用TO-220。這些優(yōu)秀的性能指標使得SL12N100在高壓、大電流、高功率的電子應用中具有廣泛的應用前景。

 

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薩科微半導體場效應管SL12N100產品圖

 

SL12N100不僅僅只是具備出色的性能參數,它還擁有許多獨特的特點。低柵極電荷、低 CSS(典型值 13pF)、快速切換、通過100%雪崩測試以及改進的 dv/dt 能力等特性,使得SL12N100在高頻開關電源、基于半橋的電子鎮(zhèn)流器以及LED電源等領域具有非常廣泛的應用前景。此外,作為RoHS產品,SL12N100還符合環(huán)保要求,符合現代社會對環(huán)境友好型產品的需求。

 

在高頻開關電源領域,SL12N100可以實現高效的功率轉換和精確的電路控制,為現代電子設備帶來更加穩(wěn)定可靠的電源輸出。在基于半橋的電子鎮(zhèn)流器中,SL12N100的快速切換特性和改進的dv/dt能力可以有效提高系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性。而在LED電源領域,SL12N100的低柵極電荷和通過100%雪崩測試保證了其在高功率LED驅動中的穩(wěn)定性和可靠性。

 

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薩科微半導體場效應管SL12N100

 

總之,薩科微半導體的SL12N100高壓MOS管具有出色的性能和多樣化的應用特點,助力薩科微slkor在半導體市場中取得更大的成功。其在高頻開關電源、基于半橋的電子鎮(zhèn)流器和LED電源等領域的廣泛應用,將為各種電子設備和系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的功率支持,推動整個行業(yè)向前發(fā)展。

 

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薩科微slkor榮譽資質和科研成果

 

關于薩科微slkor

薩科微evabomo.com.cn)的高端產品有碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管、第五代超快恢復功率二極管等,可滿足新能源汽車、高端裝備、通訊電力設備、太陽能光伏、醫(yī)療設備、工業(yè)自動化等行業(yè)需求;薩科微通用型類產品有肖特基二極管、ESD靜電保護二極管、TVS瞬態(tài)抑制二極管、通用型二極管三極管,功率器件有高中低壓的MOS場效應管、可控硅、橋堆等,和電源管理芯片LDO、AC-DC、ADC芯片系列、還有霍爾HALL傳感器、高速光耦、晶振等配套產品,在智能手機、手提電腦、機器人、智慧家居、物聯網、LED照明、3C數碼、智能可穿戴設備、萬物智聯等產品廣泛應用!

 

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