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MOS管發(fā)熱通常是哪些原因?qū)е碌?/h2>

發(fā)布時(shí)間:2022-03-18作者來(lái)源:薩科微瀏覽:12682

MOS管發(fā)熱是電路中常見(jiàn)的問(wèn)題,經(jīng)常困擾著我們,接下來(lái)小編總結(jié)出了幾個(gè)MOS管發(fā)熱的問(wèn)題及原因:

MOS發(fā)熱有哪些原因,110不怎么熱,220V輸入時(shí)熱的很

問(wèn)題不夠詳細(xì),不過(guò)mos管發(fā)熱一般有這么幾種:1.負(fù)載過(guò)重,導(dǎo)致mos管過(guò)流發(fā)熱。2.推動(dòng)激勵(lì)信號(hào)不足,導(dǎo)致mos管發(fā)熱。3.激勵(lì)信號(hào)過(guò)強(qiáng),也會(huì)導(dǎo)致mos管發(fā)熱。一般mos管工作溫度都在120攝氏度以下,都可以工作的。

一般都不會(huì)超過(guò)70度吧

不是的,大部分的mos管[敏感詞]工作溫度都在120度以下,不過(guò)不是[敏感詞]的,也有工作溫度低的。也有工作溫度在幾百度的。


MOS管正常工作會(huì)發(fā)熱嗎?P溝道MOS管正確接法及引腳是什么??

MOS管發(fā)熱的原因:

1.電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān),G級(jí)電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)通,P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。

2.頻率太高,主要是有時(shí)過(guò)分追求體積,導(dǎo)致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。

3.電流太高,沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì),MOS管標(biāo)稱的電流值,一般需要較良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于[敏感詞]電流,也可能發(fā)熱嚴(yán)重,需要足夠的輔助散熱片。

4.MOS管的選型有誤,對(duì)功率判斷有誤,MOS管內(nèi)阻沒(méi)有充分考慮,導(dǎo)致開(kāi)關(guān)阻抗增大。

我用34063做降壓方案,然后用MOS管作為擴(kuò)流管,輸入12v-?

MOS管不飽和,壓降高。原因可能是MOS管驅(qū)動(dòng)問(wèn)題,要加個(gè)中間級(jí)。振蕩頻率過(guò)低。儲(chǔ)能電感偏小或漏感大。

為什么我的BUCK電路中MOSFET發(fā)熱非常嚴(yán)重?

MOS發(fā)燙肯定是功率損耗在上面了。原因是未工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)。

查一查MOS驅(qū)動(dòng),驅(qū)動(dòng)電流夠不夠,電壓夠不夠

另外,D1不要用1N4007,[敏感詞]用速度更快的開(kāi)關(guān)二極管,如SK34等樓主我認(rèn)為發(fā)熱是正常的 MOSFET的漏極和源級(jí)有壓降為Vds 這個(gè)電壓乘以漏極電流就會(huì)產(chǎn)生功率消耗 所以會(huì)發(fā)熱 希望能幫到樓主mos發(fā)熱就是因?yàn)殡娏鬟^(guò)大,1V的電壓下電流已經(jīng)快1A了,換mos管吧為什么輸出沒(méi)有接電容進(jìn)行儲(chǔ)能濾波??

一般TV電源中燒MOSFET有哪些原因

不管是什么電源,MOS管燒壞只有3個(gè)原因:過(guò)壓,過(guò)流,過(guò)熱。

R&D設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)都會(huì)考慮MOSFET的工作環(huán)鏡,可以從輕載到滿載去調(diào)試過(guò)流點(diǎn),從低壓到高壓去調(diào)試過(guò)壓點(diǎn),長(zhǎng)期老么去調(diào)試過(guò)溫。

上點(diǎn)就炸的就要考慮電壓環(huán)及電流環(huán)是否開(kāi)環(huán)等!

一會(huì)再炸的就要考慮過(guò)溫的原因了,比如MOS高頻損耗、變壓器損耗、散熱等!

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