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IGBT芯片簡史(二)

發(fā)布時間:2022-03-18作者來源:薩科微瀏覽:2859

土豪登場-IGBT5


   

“土豪金” 芯片


   


特征:

溝槽柵+場截止+表面覆蓋銅


IGBT5是所有IGBT系列里最土豪的產(chǎn)品,別的芯片表面金屬化都用的鋁,而IGBT使用厚銅代替了鋁,銅的通流能力及熱容都遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于鋁,因此IGBT5允許更高的工作結(jié)溫及輸出電流。同時芯片結(jié)構(gòu)經(jīng)過優(yōu)化,芯片厚度進(jìn)一步減小。


技能:

175℃工作結(jié)溫,1.5V飽和電壓,

輸出電流能力提升30%


因?yàn)?a target="_blank" title="IGBT" href="/products/igbt-single-tube.html">IGBT5表面覆銅,并且在模塊封裝中采用了先進(jìn)的.XT封裝工藝,因此工作結(jié)溫可以達(dá)到175℃。芯片厚度相對于IGBT4進(jìn)一步減薄,使得飽和壓降更低,輸出電流能力提升30%。


名號:

E5,P5


目前IGBT5的芯片只封裝在PrimePACK?里,電壓也只有1200V,1700V,代表產(chǎn)品FF1200R12IE5,F(xiàn)F1800R12IP5。


   



真假李逵-TRENCHSTOP?5


   


在單管界,有一類產(chǎn)品叫TRENCHSTOP?5。經(jīng)常聽到有人問H5、F5、S5、L5是不是IGBT5?嚴(yán)格意義來講并不是,雖然名字里都帶5,但是H5、F5、S5這些單管的5系列,屬于另外一個家族叫TRENCHSTOP?5。這個家族沒有“黃金甲”加持,基因也和IGBT5不一樣。


特征:

精細(xì)化溝槽柵+場截止


雖然都叫溝槽柵,但TRENCHSTOP?5長得還是和前輩們大相徑庭。它的溝道更密,電流密度更高。在達(dá)到[敏感詞]操作性能同時,并不具備短路能力。


技能:

175℃[敏感詞]工作結(jié)溫,高開關(guān)頻率,

無短路能力


性能和短路,永遠(yuǎn)是一對矛盾體。為了追求卓越的性能,TRENCHSTOP?5犧牲掉了短路時間。TRENCHSTOP?5可以根據(jù)應(yīng)用目的不同,取得極低的導(dǎo)通損耗,或者極高的開關(guān)頻率,開關(guān)頻率[敏感詞]可達(dá)70~100kHz,而導(dǎo)通壓降[敏感詞]可低至1.05V。


名號:

H5,F(xiàn)5,S5,L5


TRENCHSTOP?5目前只有650V的器件,并且都是分立器件。這一系列產(chǎn)品針對不同的應(yīng)用進(jìn)行了通態(tài)損耗和開關(guān)損耗的優(yōu)化。其中H5/F5適合高頻應(yīng)用,L5導(dǎo)通損耗[敏感詞]。TRENCHSTOP?5各個產(chǎn)品在折衷曲線上的位置如下圖所示。


   


后起之秀-IGBT6


   


6掌門雖然和4掌門之間隔了個5,但6其實(shí)是4的優(yōu)化版本,依然是溝槽柵+場截止。IGBT6目前只在單管中有應(yīng)用。


特征:

溝槽柵+場截止


器件結(jié)構(gòu)和IGBT4類似,但是優(yōu)化了背面P+注入,從而得到了新的折衷曲線。


技能:

175℃[敏感詞]工作結(jié)溫,Rg可控,3us短路


IGBT6目前發(fā)布的有2個系列的產(chǎn)品,S6導(dǎo)通損耗低,Vce(sat) 1.85V; H6開關(guān)損耗低,相比于H3,開關(guān)損耗降低15%。


名號:

S6, H6


IGBT6只有單管封裝的產(chǎn)品,例如:IKW15N12BH6,IKW40N120CS6,封裝有TO-247 3pin,TO-247 plus 3pin,TO-247 plus 4pin。


   


萬眾矚目-IGBT7


   


IGBT經(jīng)數(shù)代,厚積薄發(fā),2018年終于迎來了萬眾矚目的IGBT7。


特征:

微溝槽柵+場截止


雖然都是溝槽柵,但多了一個微字,整個結(jié)構(gòu)就大不一樣了。IGBT7溝道密度更高,元胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計(jì),并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù),從而實(shí)現(xiàn)5kv/us下的[敏感詞]開關(guān)性能。


更多IGBT7信息,請參考:1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳,助力提升變頻器系統(tǒng)性能。


技能:

175℃過載結(jié)溫,dv/dt可控


IGBT7 Vce(sat)相比IGBT4降低20%,可實(shí)現(xiàn)[敏感詞]175℃的暫態(tài)工作結(jié)溫。


名號:

T7,E7


代表產(chǎn)品有:FP25R12W1T7。T7專為電機(jī)驅(qū)動器優(yōu)化,可以實(shí)現(xiàn)5kv/us下[敏感詞]性能。E7應(yīng)用更廣泛,電動商用車主驅(qū),光伏逆變器等。


一張表看懂

IGBT的前世今生








有道是,

江山代有才人出,各領(lǐng)風(fēng)騷沒兩年。

7已經(jīng)羽翼漸豐,獨(dú)擋一面,

8還會遠(yuǎn)嗎?


讓我們拭目以待吧!






 

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