1.歐姆定律計算 ……

隨著數(shù)字技術(shù)的不斷發(fā)展和計算機在信號處理、控制等領(lǐng)域中的?泛應(yīng)?，過去由模擬電路實現(xiàn)的?作，今天越來越多地由數(shù)字電路或計算機來處理。作為模擬與數(shù)字之間的橋梁，模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）的重要性越來越突出，由此也推動了ADC測試技術(shù)的發(fā)展。 本文先介紹了ADC的測試，包括靜態(tài)參數(shù)和動態(tài)參數(shù)測試，然后結(jié)合?動測試系統(tǒng)測……

GaN半導(dǎo)體器件用于增長消費電子產(chǎn)品的市場潛力。

5.14大灣區(qū)半導(dǎo)體沙龍– 創(chuàng)業(yè)家園篇 開始10:00am - 結(jié)束14:00 地址：深圳市南山區(qū)深南大道海岸時代東B 1302 大印藍海工作室（一區(qū)） 連續(xù)下了數(shù)天大雨，早上起來雨停了，上午沙龍正常舉辦，10點開始。 前期到來的部分創(chuàng)業(yè)小……

晶振概述 晶振一般指晶體振蕩器。晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片），石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振； 而在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。 晶振工作原理 ……

MOS管，是MOSFET的縮寫，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻譯過來是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同，MOS可以細分為NMOS和PMOS兩種。 下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內(nèi)可以看到，MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個二極管，有人說這個二極管是寄生二極管，有人說是體二極管，究竟哪個說法準(zhǔn)確呢？很多同學(xué)也非常好奇：為什么要并聯(lián)這個二極管？是否可以刪除呢？ 這要從MOS的工藝和結(jié)構(gòu)說起，不

IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功率級較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。 理想等效

近幾十年來，以新發(fā)展起來的第 3 代寬禁帶功率半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能備受人們關(guān)注。SiC與第1代半導(dǎo)體材料硅（Si）、鍺（Ge）和第 2 代半導(dǎo)體材料砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、GaAsAl、GaAsP 等化合物相比，其禁帶寬度更寬，耐高溫特性更強，開關(guān)頻率更高，損……

設(shè)計原理圖時，網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號要盡量簡潔眀了。 本文總結(jié)了一下基本的表示方法，供大家參考。 常用控制接口 ……

問題： 查看有些原理圖的設(shè)計時，經(jīng)常看到串一些小電阻，如0Ω，22Ω，33Ω等等，但是也不是一定串。同樣場合有的串，有的不串。這是為什么呢？這里電阻串聯(lián)的意義是什么呢？什么時候需要串電阻呢，阻值取多大呢？ 關(guān)于這個問題，我們先看下網(wǎng)上的一些答案： 有人說：參考設(shè)計上推薦……

Source、Drain、Gate分別對應(yīng)場效應(yīng)管的三極：源極S、漏極D、柵極G（這里不講柵極GOX擊穿，只針對漏極電壓擊穿）。 EDA365電子論壇

我們知道，在電路系統(tǒng)的各個子模塊進行數(shù)據(jù)交換時可能會存在一些問題導(dǎo)致信號無法正常、高質(zhì)量地“流通”，例如有時電路子模塊各自的工作時序有偏差（如CPU與外設(shè)）或者各自的信號類型不一致（如傳感器檢測光信號）等，這時我們應(yīng)該考慮通過相應(yīng)的接口方式來很好地處理這個問題。 下面就電路設(shè)計中7個常用的接口類型的關(guān)鍵點……