MOSFET的單位面積導通電阻和優(yōu)值系數(shù)(FOM)參數(shù)代表了MOSFET的性能，是各大MOSFET廠商產品參數(shù)展示的關鍵指標，也是體現(xiàn)MOSFET芯片制造工藝核心技術能力的關鍵指標。

通常來說，MOS管的單位面積導通電阻值和優(yōu)值系數(shù)值越低表示其性能越好。而超低壓MOSFET不關注優(yōu)值系數(shù)，單位面積導通電阻值和漏極擊穿電壓之間存在取舍關系，因此對于超低壓MOSFET選取單位面積導通電阻值和漏極擊穿電壓作為比較指標。

單位面積導通電阻(Ronsp)，主要用于衡量功率器件導通狀態(tài)下，單位面積的電阻值，數(shù)值越低表示單位面積功耗越低，電流密度越高；

漏極擊穿電壓(BVDSS)，是器件漏極所能承受的[敏感詞]電壓，該數(shù)值越高越好，但是提高漏極擊穿電壓會導致單位面積導通電阻增加;

優(yōu)值系數(shù)(Ron*Qg)，導通電阻Ron決定了導通狀態(tài)下的靜態(tài)損耗，柵極電荷Qg決定了開關損耗，通常用Ron與Qg的乘積來表征MOSFET器件的性能水品，該值越低代表技術水品越高。

根據(jù)各官方網(wǎng)站發(fā)布的產品關鍵參數(shù)以及性能，松下FCAB21890L、松下 FCAB22620L、英飛凌BSZ0506NSATMA1、英飛凌 IQE013N04LM6、英飛凌 IAUT260N10S5N019、英飛凌IPA60R160P7 可代表其同類型產品的國際[敏感詞]技術水平。