近年汽車是所有模擬芯片領(lǐng)域中成長最快的細(xì)分市場，知名市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IDC指出，2021年至2025年汽車模擬芯片市場以兩位數(shù)13.2%的年復(fù)合增長率持續(xù)增長。對于這個充滿機(jī)遇的汽車模擬市場，本土廠商展現(xiàn)出十分積極的布局態(tài)勢，此外，在產(chǎn)品品類方面，國產(chǎn)模擬廠商已經(jīng)從數(shù)字隔離器、通用電源領(lǐng)域，逐步拓展到高低邊開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動、……

微型電機(jī)方面的研究現(xiàn)在熱度很高，如何在小體積下做到快速地響應(yīng)、足夠大的轉(zhuǎn)矩是行業(yè)很關(guān)注的方向。這一方向上，超聲波電機(jī)成為國內(nèi)外在微型電機(jī)方面的研究熱點(diǎn)。我們熟悉的電機(jī)，絕大多數(shù)都是以電磁原理為基礎(chǔ)，而超聲波電機(jī)完全是另一條技術(shù)路線。在技術(shù)的發(fā)展與迭代下，超聲波電機(jī)展現(xiàn)出了低速大轉(zhuǎn)矩、反應(yīng)速度快、不受磁場影響、保持力矩大……

在過去一年，國產(chǎn)SiC功率器件產(chǎn)品迎來了全面爆發(fā)，眾多廠商宣布入局或是推出車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品，尋求打進(jìn)汽車供應(yīng)鏈。SiC（碳化硅）功率器件以其高溫穩(wěn)定性、高頻特性和低開關(guān)損耗等優(yōu)勢，成為新能源汽車領(lǐng)域的熱門技術(shù)。今年春節(jié)后的新一輪新能源汽車降價(jià)潮更是將800V平臺和SiC電驅(qū)技術(shù)帶入了20萬元以下的市場，進(jìn)……

在現(xiàn)代電力電子和集成電路領(lǐng)域，功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）作為一種重要的功率開關(guān)元件，其具有快速、高效的特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種電源控制和功率放大電路中。在MOSFET中，其體二極管結(jié)構(gòu)在關(guān)斷狀態(tài)下起著至關(guān)重要的作用，其設(shè)計(jì)旨在實(shí)現(xiàn)最小漏極-源極電壓的阻斷，同時保證器件的可靠性和穩(wěn)定性。

IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高，高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。IGBT模塊具有使用時間長的特點(diǎn)，汽車級模塊的使用時間可達(dá)15年。因此在封裝過程中，模塊對產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量穩(wěn)定性要求非常高。高可靠性設(shè)計(jì)需要考慮材料匹配、高效散熱、低寄生參數(shù)、高集成度。

近日，中國移動宣布，“東數(shù)西算”國家工程迎來重大突破——首條400G全光省際骨干網(wǎng)絡(luò)正式投入商用，完整項(xiàng)目落地后，能夠大幅提升“東數(shù)西算”八大樞紐間的數(shù)據(jù)傳輸效率。在“東數(shù)西算”國家工程的推進(jìn)過程中，400G全光省際骨干網(wǎng)絡(luò)的商用投入無疑是一個重要的節(jié)點(diǎn)。這不僅是光通信技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新成果，更是中國信息通信產(chǎn)業(yè)發(fā)展的嶄新……

隨著科技的不斷進(jìn)步，非接觸式技術(shù)已經(jīng)成為智能家居領(lǐng)域中越來越普及和重要的技術(shù)手段。這種技術(shù)通過無線信號、電磁波感應(yīng)、雷達(dá)探測等多種方式，實(shí)現(xiàn)了設(shè)備與用戶之間的交互或數(shù)據(jù)傳輸，無需物理接觸。非接觸式技術(shù)的廣泛應(yīng)用，不僅提高了家居生活的便利性和衛(wèi)生性，還大幅度提升了智能化程度，為用戶帶來了前所未有的舒適和便捷。非接觸式技術(shù)……

在通信設(shè)備領(lǐng)域，隨著5G時代的到來，對高性能功率半導(dǎo)體的需求急劇增加。5G技術(shù)的部署需要大量的功率放大器和射頻器件，這為功率半導(dǎo)體行業(yè)帶來了巨大商機(jī)。計(jì)算機(jī)領(lǐng)域則需要高效的功率管理芯片和處理器，以確保系統(tǒng)運(yùn)行穩(wěn)定、高效。作為一家專注于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的公司，薩科微（evabomo.com.cn）推出了眾多優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品……

自20世紀(jì)90年代中期之后，集成電路封裝體的外觀（形狀、引腳樣式）并未發(fā)生重大變化，但其內(nèi)部結(jié)構(gòu)發(fā)生了三次重大技術(shù)革新，分別為：倒裝封裝技術(shù)、系統(tǒng)級封裝技術(shù)和晶圓級封裝技術(shù)。

20世紀(jì)80-90年代，集成電路運(yùn)算速度不斷進(jìn)步，可集成門電路高達(dá)數(shù)百萬甚至數(shù)千萬只，I/O數(shù)量達(dá)到數(shù)百至1000以上。這種情況下，原來四邊引出的QFP、QFN封裝形式已不能滿足高I/O數(shù)量的要求，封裝引腳由周邊型向中央漸進(jìn)發(fā)展成陣列型。20世紀(jì)80年代最先發(fā)展出的陣列封裝為 PGA（針柵陣列封裝），將芯片封裝成帶有方……

自1947年美國電報(bào)電話公司（AT&T）發(fā)明第一只晶體管開始，半導(dǎo)體封裝也隨之出現(xiàn)。為了便于在電路上使用和焊接，封裝體要有外接引腳；為了固定微小的半導(dǎo)體晶粒，要有用于支撐的底座；為了保護(hù)晶粒不受大氣環(huán)境等的污染，也為了堅(jiān)固耐用，就必須有把晶粒密封起來的外殼等。20 世紀(jì)50年代，首先出現(xiàn)了以三根引腳的TO（小型晶體管外……

所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)……