DC-DC的電路比LDO會(huì)復(fù)雜很多，噪聲也更大，布局和layout要求更高，layout的好壞直接影響DC-DC的性能，所以了解DC-DC的layout至關(guān)重要。 1. Bad layout EMI，DC-DC的SW管腳上面會(huì)有較高的dv/dt， 比較高的dv/dt會(huì)引起比較大的EMI干擾； 地線噪聲，地走線不好，會(huì)在地線上面會(huì)產(chǎn)生比較大的開關(guān)噪聲，而這些噪聲會(huì)影響到其它部分的電路； 布線上產(chǎn)生電壓降，走線太長，會(huì)使走

電子器件是一個(gè)非常復(fù)雜的系統(tǒng)，封裝過程中的缺陷和故障也非常復(fù)雜。 因此，對(duì)包裝缺陷和故障的研究需要對(duì)包裝過程有系統(tǒng)的了解，這樣才能從多個(gè)角度分析產(chǎn)生缺陷的原因。 封裝失效的機(jī)理可分為過載和磨損兩大類。 過載導(dǎo)致的故障通常是瞬間的和災(zāi)難性的； 磨損失效是累積性的長期損壞，通常首先表現(xiàn)為性能下降，然后……

前 言 我國在2020年9月明確了2030年碳達(dá)峰和 2060年碳中和的目標(biāo)，未來四十年內(nèi)實(shí)現(xiàn)凈零排放對(duì)中國而言將是一項(xiàng)具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)。對(duì)于電機(jī)行業(yè)來說，電機(jī)在工業(yè)領(lǐng)域占有重要位置，據(jù)統(tǒng)計(jì)，我國電機(jī)每年耗電量占全社會(huì)總用電量的69%，約占工業(yè)用電的75%。因此減少電機(jī)生命周期內(nèi)的碳排放，加速推進(jìn)減碳進(jìn)程，是電機(jī)……

據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，中國市場擁有3億輛兩輪三輪電動(dòng)車，2019年我國電動(dòng)兩輪車產(chǎn)量為3609萬輛，銷量為3464萬輛，其中700萬外賣人員和310萬快遞人員是電動(dòng)車的重度使用者。隨著2019年4月15日新國標(biāo)正式實(shí)施，我國鋰電兩輪車銷量達(dá)到680萬輛，鋰電池在我國兩輪電動(dòng)車滲透率達(dá)到18.8%，預(yù)計(jì)2023年鋰電兩輪車滲透率將……

一個(gè)碳化硅芯片業(yè)余愛好者的學(xué)習(xí)筆記。文獻(xiàn)整理，業(yè)界新聞，偶有所得，天馬行空。本公眾號(hào)屬于個(gè)人學(xué)習(xí)筆記，僅為個(gè)人業(yè)余興趣愛好，不涉及任何商業(yè)目的。文中如果有引用不規(guī)范的地方敬請見諒。有人的愛好是養(yǎng)花養(yǎng)草唱歌釣魚，也有人喜歡寫Twiter博客抖音，我最近幾年，喜歡周末偶爾讀點(diǎn)書刷刷paper，看看前沿方向材料和器件技術(shù)發(fā)展……

概述 MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛的應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)控制、電動(dòng)工具等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng)，容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效，因此發(fā)這篇文章將……

CIS封裝最初采用的是帶有玻璃蓋板的陶瓷封裝，例如Amkor的VisionPak就是一種陶瓷無鉛芯片載體。這種方案比較昂貴而且會(huì)占用很大的相機(jī)內(nèi)空間。20世紀(jì)末晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Package, WLP)技術(shù)逐步發(fā)展起來，其優(yōu)勢在于尺寸小、重量輕和成本低，并逐漸引起大家的關(guān)注。2007年3月，日本Toshiba公司首次展出采用硅通孔技術(shù)的WLP的小型圖形傳感器模組，該技術(shù)不僅提供用于模塊集成的完全密閉的器件，使由污染顆粒所導(dǎo)致的CIS成品率損失大大降低，還具有最小尺寸和質(zhì)量、有效降低寄生

車載雷達(dá)是高級(jí)輔助駕駛(ADAS), 無人駕駛核心傳感器之一，而車載雷達(dá)芯片是車載雷達(dá)的核心，如今高度集成（MMIC + DSP/MCU)的車規(guī)級(jí)芯片為雷達(dá)小型化，高可靠性與穩(wěn)定性，低成本提供關(guān)鍵途徑，其重要性不言而喻。 近期，TI公司正式上線下一代車規(guī)級(jí)高性能車載雷達(dá)芯片，AWR2944，同時(shí)發(fā)布與之配……

摘要：傳統(tǒng)功率電子封裝主要以釬料連接和引線鍵合等二維平面封裝技術(shù)為主，無法滿足第三代半導(dǎo)體器件在高頻、高壓、高溫下的可靠應(yīng)用。為了解決這一問題，二維平面封裝逐漸向三維集成封裝發(fā)展。對(duì)功率電子封裝技術(shù)中的關(guān)鍵材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的研究進(jìn)展進(jìn)行了總結(jié)和展望。連接材料從錫基釬料逐漸發(fā)展為金基釬料、瞬態(tài)液相連接材料、燒結(jié)銀等高導(dǎo)熱、……

描述 電力電子朝向碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙（WBG）材料發(fā)展，雖然硅仍然占據(jù)市場主流，但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。 據(jù)總部位于法國的市場研究機(jī)構(gòu)Yole Développement估計(jì)，到2025年SiC器件市場營收將占……

20世紀(jì)中期出現(xiàn)了功率器件，經(jīng)過近30年的發(fā)展，MOS和BJT技術(shù)的結(jié)合催生出IGBT技術(shù)。IGBT經(jīng)過不斷更新，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于車輛、焊接、航天航空等領(lǐng)域。本文介紹了IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理，并對(duì)其在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行闡述，有助于從業(yè)者全面深入了解IGBT原理及其在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展。 隨著全球變暖和環(huán)境……

如下是一個(gè)NMOS的開關(guān)電路，階躍信號(hào)VG1設(shè)置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電壓2V，所以MOS管T2會(huì)以周期T=20ms進(jìn)行開啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。 首先仿真Vgs和Vds的波形，會(huì)看到Vgs=2V的時(shí)候有一個(gè) 小平臺(tái) ，有人會(huì)好奇為什么Vgs在上升時(shí)會(huì)有一個(gè)小平臺(tái)？ ……