在電子電路和工業(yè)應用中，IGBT功率管被普遍應用，電磁爐中的開關管，變頻器中三相電機控制，程控電源，逆變器等。通過IGBT來控制大電流的快速開關實現(xiàn)不同的功能。本節(jié)來學習IGBT驅(qū)動芯片IR2104的使用。

每個芯片必須通過的 “封裝”工藝才能成為完美的半導體產(chǎn)品。封裝主要作用是電氣連接和保護半導體芯片免受元件影響。

利用聚焦電子束對某些高分子聚合物（電子束光刻膠）進行曝光并通過顯影獲得圖形的過程。產(chǎn)生聚焦電子束并讓聚焦電子束按照設定的圖形掃描的設備就叫做電子束光刻機。

二極管的種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）

由于 NRZ 信令不足并且 PAM-4 能夠以波特率的一半實現(xiàn)更高的比特率，因此設計人員可以繼續(xù)以有望達到 400G 的以太網(wǎng)數(shù)據(jù)速率使用現(xiàn)有信道

飛行時間技術在廣義上可理解為通過測量物體、粒子或波在固定介質(zhì)中飛越一定距離所耗費時間

特斯拉公司表示，新一代永磁電機可以在效率和質(zhì)量上達到甚至比稀土材料電機更高的水平。

GaN 半導體晶體材料的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，綜述了近年來采用 HVPE 法生長高質(zhì)量 GaN 晶體的主要研究進展；對 GaN 的摻雜特性、摻雜劑類型、生長工藝以及摻雜原子對電學性能的影響進行了詳細 介紹

由于科學界認為鋰離子電池已經(jīng)到達極限，固態(tài)電池于近年被視為可以繼承鋰離子電池地位的電池。

RISC-V（Reduced Instruction Set Computing Five）是一種基于精簡指令集計算機（RISC）原則的開源指令集架構(gòu)（ISA）。RISC-V最初于2010年由加州大學伯克利分校的研究人員提出，并逐漸成為開源計算機架構(gòu)中的一股強大力量。RISC-V架構(gòu)的出現(xiàn)和發(fā)展，不僅推動了開源計算機架構(gòu)的發(fā)展，也為智能汽車行業(yè)的未來發(fā)展提供了新的可能性和方向。上海交通大學深圳行業(yè)研究院首席科學家、院長助理蔣煒教授與兆芯微電子公司總經(jīng)理歐沅昊針對RISC-V框架在智能汽車領域的運用進行探討

三星在年初的IEEE國際固態(tài)電路大會(ISSCC)上，公布3nm制造技術的一些細節(jié)，包括類似全柵場效應晶體管(GAAFET)結(jié)構(gòu)，率先開啟先進工藝在技術架構(gòu)上的轉(zhuǎn)型。知名能源與電力媒體eenews報道稱，三星工廠已經(jīng)流片采用環(huán)繞柵極 (GAA) 晶體管架構(gòu)的3nm芯片，通過納米片(Nanosheet)制造出MBCFET……

一、增強型MOS管結(jié)構(gòu) 1.增強型MOS管結(jié)構(gòu) ①以低摻雜的P型硅片為襯底。 ②利用擴散工藝制作成兩個高摻雜的N+區(qū)，并引出兩個電極，分別為源極s和漏極d。 ③在半導體上制作一層SiO2絕緣層，在SiO2上制作一層金屬鋁，引出電極，作為柵極g。 ④通常將柵極與襯底連接在一起，這樣襯底與柵極……