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技術(shù)交流

Technology Exchange
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MOS工作原理及失效分析
  • 更新日期: 2023-02-23
  • 瀏覽次數(shù): 2901
MOS管是金屬(metal)氧化物(oxide)半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬絕緣體(insulator)半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。 MOS管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管
PCB布線要點 整理
  • 更新日期: 2023-02-22
  • 瀏覽次數(shù): 2896
根據(jù) 50 歐姆阻抗線寬進行布線,盡量從焊盤中心出線,線成直線,盡量走在表層。在需要拐彎的地方做成45 度角或圓弧走線,推薦在電容或電阻兩邊進行拐彎。如果遇到器件走線匹配要求的,請嚴(yán) 格按照datasheet上面的參考值長度走線。比如,一個放大管與電容 之間的走線長度(或電感之間的走線長度)要求等等。 1、通用做……
中科院:半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究匱乏,我們進入"黑暗森林"
  • 更新日期: 2023-02-22
  • 瀏覽次數(shù): 2247
本文刊載于《中國科學(xué)院院刊》2023年第2期“科學(xué)觀察” 李樹深* 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 半導(dǎo)體……
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)
  • 更新日期: 2023-02-21
  • 瀏覽次數(shù): 3805
一旦硅開始達不到電路需求,碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨的硅相比,這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。這些因素可能導(dǎo)致碳化硅和氮化鎵在整個電子市場上得到更廣泛的采用。   讓我們探討一下碳化硅和氮化鎵之間的主要區(qū)別,這將有助于我們了解何時最有效地應(yīng)用這些化合物……
IGBT的發(fā)展史及測試
  • 更新日期: 2023-02-21
  • 瀏覽次數(shù): 2585
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)于20世紀(jì)80年代初發(fā)明、開發(fā)并商業(yè)化。器件結(jié)構(gòu)(圖4左側(cè))可以設(shè)計為在第一象限和第三象限(對稱IGBT)的結(jié)J1和J2處阻斷電壓,或者僅在第一象限(不對稱IGBT)阻斷電壓。IGBT通過使用正柵極偏置創(chuàng)建MOS溝道來工作,該偏置將基極驅(qū)動電流輸送到內(nèi)部寬基極P-N-P雙極晶體管。在同一漂移……
SiC外延工藝基本介紹
  • 更新日期: 2023-02-20
  • 瀏覽次數(shù): 3297
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上,經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件,其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。 由于碳化硅功率……
十大步驟詳解芯片光刻的流程
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 瀏覽次數(shù): 4964
在集成電路的制造過程中,有一個重要的環(huán)節(jié)——光刻,正因為有了它,我們才能在微小的芯片上實現(xiàn)功能?,F(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前,1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以后,開始試圖復(fù)制一種刻蝕在油紙上的印痕(圖案),他將油紙放在一塊玻璃片上,玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經(jīng)過2、3小時……
碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 瀏覽次數(shù): 1947
前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié),襯底成本占到碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的……
IGBT失效原因及保護方法
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 瀏覽次數(shù): 4744
01 關(guān)于 IGBT ……
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記5:車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊可靠性標(biāo)準(zhǔn)
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 瀏覽次數(shù): 5401
功率半導(dǎo)體的車規(guī)可靠性標(biāo)準(zhǔn)比較多,主要有美國汽車電子委員會的AEC標(biāo)準(zhǔn)(主要是針對晶圓)和歐洲電力電子中心的AQG324(針對模塊)。今天主要復(fù)習(xí)AQG324這個標(biāo)準(zhǔn)。 先討論一個工程邏輯:任何一個新產(chǎn)品,在設(shè)計之初就應(yīng)該考慮其使用的可靠性,設(shè)計有缺陷,后期工藝上是很難彌補的,因此,當(dāng)可靠性測試出現(xiàn)問題時,首先要……
DC-DC電路的環(huán)路補償?shù)恼{(diào)試經(jīng)驗
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 瀏覽次數(shù): 2369
1、A產(chǎn)品的DC-DC電路受干擾掉電 DC-DC電路設(shè)計采用LMR14030芯片實現(xiàn)交流24V轉(zhuǎn)換成直流5V,給GSM模塊供電,基中LMR14030芯片的EN腳連接一個開關(guān),用于控制電路開關(guān)的功能,在小批量生產(chǎn)測試時發(fā)現(xiàn),電路板未安裝外殼的情況下工作正常,安裝外殼后,測試時發(fā)現(xiàn)電源會在GSM發(fā)送數(shù)據(jù)時發(fā)生掉……
電源芯片的EN引腳應(yīng)該如何設(shè)計?
  • 更新日期: 2023-02-16
  • 瀏覽次數(shù): 2881
電機控制板的24V電源在給電機供電的同時也通過DCDC輸出12V給其他電路供電。在沒有電池時,電機發(fā)電為控制板供電,而電機的轉(zhuǎn)動并非是勻速的,產(chǎn)生了波動較大的電壓,如下圖1所示,黃色線為電機反向發(fā)電電壓,綠色則為MP2451輸出的電壓。 圖1 電機發(fā)電曲線和DCDC的輸出曲線 由上圖可以看出,電機的……

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