大多數(shù)數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)采用固定的正基準(zhǔn)電壓工作，輸出電壓或電流與基準(zhǔn)電壓和設(shè)定的數(shù)字碼的乘積成比例。而對于所謂的乘法數(shù)模轉(zhuǎn)換器(MDAC)，情況并非如此，其基準(zhǔn)電壓可以變化，變化范圍通常是±10 V。因此，通過基準(zhǔn)電壓和數(shù)字碼可以影響模擬輸出(在這兩種情況下都是動態(tài)的)。 應(yīng)用 借……

MOS管，是MOSFET的縮寫，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻譯過來是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同，MOS可以細(xì)分為NMOS和PMOS兩種。 下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內(nèi)可以看到，MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個二極管，有人說這個二極管是寄生二極管，有人說是體二極管，究竟哪個說法準(zhǔn)確呢？很多同學(xué)也非常好奇：為什么要并聯(lián)這個二極管？是否可以刪除呢？ 這要從MOS的工藝和結(jié)構(gòu)說起，不

在“追光實(shí)驗(yàn)室”上海站啟動儀式上，阿斯麥（ASML）中國區(qū)總裁沈波笑言，隨著近年來半導(dǎo)體的社會關(guān)注度上升，ASML已經(jīng)成功出圈，從一家只有業(yè)內(nèi)人士了解的隱形冠軍，成為全民都能談?wù)搸拙涞木W(wǎng)紅公司，幾乎每天都能看到與ASML相關(guān)的報道和話題。ASML中國區(qū)技術(shù)總監(jiān)高偉民甚至總結(jié)了媒體報道中對ASML的描述，他表示，專業(yè)媒體……

今天來說兩個問題：1、MOS管導(dǎo)通電流能否反著流？D到S，S到D方向隨意？ 2、MOS管體二極管能過多大的電流？ 為啥會有這兩個問題？ 我們在最開始學(xué)習(xí)MOS管的時候，應(yīng)該都是從NMOS開始的，電流的方向都是從D到S的。 而實(shí)際應(yīng)用電路，NMOS會有電流從S到D的情況，比如下面這個……

一家專門從事合成、實(shí)驗(yàn)室培育的電子級鉆石材料的制造和應(yīng)用的科技公司AKHAN Semiconductor 日前宣布，公司面向半導(dǎo)體、電信、消費(fèi)行業(yè)和全球市場展示了能夠制造 300 毫米互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 鉆石晶圓。 他們指出，這個行業(yè)突破性的 300 毫米 CMOS 鉆石晶圓將增強(qiáng)各行業(yè)電子產(chǎn)品的……

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬度＞4.5 e V）的研究和應(yīng)用，近年來不斷獲得技術(shù)的突破。這類半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電子器件等領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿?，目前正成為國際競爭的新熱點(diǎn)。 金剛石作為超寬帶隙……

近幾年來，氮化鎵快充從最初的第三方品牌配件逐步進(jìn)入系統(tǒng)內(nèi)，成為眾多手機(jī)、筆電產(chǎn)品的標(biāo)配。同時，氮化鎵技術(shù)在消費(fèi)類電源市場中的應(yīng)用領(lǐng)域也得到拓展，從單一的快充充電器，逐步延伸至快充拓展塢、快充插線板、快充墻插等品類。在這一過程中，氮化鎵也從最開始的黑科技逐漸變成了家喻戶曉的技術(shù)。 充電頭網(wǎng)已經(jīng)累計(jì)拆解了近……

導(dǎo)讀：在不斷拓展的計(jì)時場景應(yīng)用中，電子系統(tǒng)對計(jì)時元件提出了更高、更復(fù)雜的技術(shù)要求，而傳統(tǒng)的石英晶振無法克服其固有限制，如怕摔怕振，易斷裂，易溫漂，有限的頻率等缺點(diǎn)。其已經(jīng)不能滿足所有應(yīng)用領(lǐng)域需求。與石英晶振相比，MEMS硅晶振憑借有不停振、不跑偏、不怕摔，無溫漂，體積小可編程等優(yōu)勢將有機(jī)會替代傳統(tǒng)石英晶振，解決電子工程……

一直想給大家講講ESD的理論，很經(jīng)典。但是由于理論性太強(qiáng)，任何理論都是一環(huán)套一環(huán)的，如果你不會畫雞蛋，注定了你就不會畫大衛(wèi)。 先來談靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？這應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)造成過度電應(yīng)力破壞的主要元兇。因?yàn)殪o電通常瞬間電壓非常高(>……

集成電路(Hall Effect IC)，霍爾效應(yīng)傳感集成電路(Hall Effect Sensor IC)，霍爾傳感器(Hall Sensor)，霍爾電路，霍爾IC。Hall有時也被翻譯成霍耳，所以也可稱霍耳集成電路等。以下簡稱霍爾IC。 霍爾IC通常按輸出信號類型分為數(shù)字霍爾IC和線性霍爾IC。數(shù)字霍爾IC通……

一、3D封裝將成為主要工藝 轉(zhuǎn)自：智東西 近日，中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院研究總監(jiān) Yang Rui 預(yù)測，臺積電將在芯片制造業(yè)再占主導(dǎo)地位五年，此后 3D 封裝將成為主要工藝挑戰(zhàn)。 過去十年各種計(jì)算工作負(fù)載飛速發(fā)展，而摩爾定律卻屢屢被傳將走到盡頭。面對更家多樣化的計(jì)算應(yīng)用需求，為了將更多功能 &……

mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。 Mos主要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同mos這個差距可能很大。 Mos損壞主要原因： 過流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流