9月3日上午，2021年清華大學(xué)電子信息類迎新大會(huì)在羅姆樓舉行。電子信息類首席教授、電子系系主任汪玉、生物醫(yī)學(xué)工程系系主任王廣志、電子系黨委書(shū)記金德鵬、校學(xué)術(shù)委員會(huì)副主任黃翊東、電子系黨委副書(shū)記李冬梅、電子系副系主任吳及、電子系副系主任鄧北星、電子系副系主任沈淵、電子系學(xué)生組組長(zhǎng)李越、新生年級(jí)班主任、輔導(dǎo)員及電子信息類……

在軍用市場(chǎng)，GaN 射頻器件需求快速增長(zhǎng)，根據(jù)《第3 代半導(dǎo)體發(fā)展概述及我國(guó)的機(jī)遇、挑戰(zhàn)與對(duì)策》數(shù)據(jù)，僅戰(zhàn)斗機(jī)雷達(dá)對(duì)GaN 射頻功率模塊的需求就將達(dá)到7500 萬(wàn)只。目前，美國(guó)海軍新一代干擾機(jī)吊艙及空中和導(dǎo)彈防御雷達(dá)（AMDR）已采用GaN 射頻功放器件替代GaAs 器件。 射頻技術(shù)的進(jìn)步正在推動(dòng)無(wú)線系統(tǒng)的發(fā)展。……

據(jù)日本科技媒體報(bào)道，AIST開(kāi)發(fā)了一項(xiàng)高速SiC晶片拋光技術(shù)，可以將速度提升12倍，大幅降低成本，該技術(shù)即將導(dǎo)入6英寸SiC晶圓的集成加工工藝中： ▲速度更快：傳統(tǒng)轉(zhuǎn)速50 rpm，新技術(shù)達(dá)到700rpm。 ▲多片拋光：傳統(tǒng)方式只能單片研磨，新技術(shù)可以同時(shí)多片加工。 ▲節(jié)省材料：不需要研磨液，只需要水……

摘 要 ……

印制電路板生產(chǎn)制造的過(guò)程中，焊接質(zhì)量的好壞會(huì)直接影響整機(jī)產(chǎn)品質(zhì)量的好壞。常見(jiàn)的可焊性問(wèn)題有：潤(rùn)濕不良、立碑、裂紋、氣孔、假焊、虛焊、上錫不良和夾渣缺陷等。 究其原因，到底是什么導(dǎo)致產(chǎn)品出現(xiàn)此類焊接失效問(wèn)題的發(fā)生呢？ 這涉及到以下幾個(gè)方面： 01 助焊劑、焊料等原料的質(zhì)量是否滿足要求。原料……

電子產(chǎn)品高集成化、微型化發(fā)展，電子封裝高精密度、小型化、PCBA高密度互連帶來(lái)的精細(xì)導(dǎo)線化和微小孔徑化，使得對(duì)檢測(cè)方法和技術(shù)提出了更嚴(yán)格的要求。切片分析技術(shù)在電子產(chǎn)品微觀檢測(cè)方面應(yīng)用廣泛，起到重要作用！ 通常被用作電子產(chǎn)品的品質(zhì)判定和品質(zhì)異常分析、檢驗(yàn)電路板品質(zhì)的好壞、PCBA焊接質(zhì)量檢測(cè)、尋找失效……

失效分析基本概念 定義：對(duì)失效電子元器件進(jìn)行診斷過(guò)程。 1、進(jìn)行失效分析往往需要進(jìn)行電測(cè)量并采用先進(jìn)的物理、冶金及化學(xué)的分析手段。 2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機(jī)理，提出糾正措施，防止這種失效模式和失效機(jī)理的重復(fù)出現(xiàn)。 3、失效模式是指觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式……

1 ---MOSFET開(kāi)關(guān)管工作的最大占空比Dmax： ……

摘?要：隨著硅基氮化鎵外延技術(shù)的不斷突破，其專用的硅襯底材料的國(guó)產(chǎn)化問(wèn)題日益凸顯。分析了國(guó)產(chǎn)片外延后邊緣滑移線密集和裂片問(wèn)題，提出了硅片邊緣控制和機(jī)械強(qiáng)度控制參數(shù)和技術(shù)指標(biāo)，為滿足功率器件級(jí)氮化鎵外延需求的高質(zhì)量硅襯底研制指明了一定的方向。 氮化鎵具有高飽和電子速率和擊穿電壓及耐高溫等特性，可用于制作極其惡劣環(huán)境下運(yùn)……

揭秘！怎樣把沙子變成99.999999999%純度的芯片原材料硅片 高純度的單晶硅片是制造各種芯片的基礎(chǔ)材料，半導(dǎo)體級(jí)硅的純度極高，通常要達(dá)到99.9....%(小數(shù)點(diǎn)后面7至9個(gè)9，甚至是12個(gè)9），且為單晶，即硅原子晶格統(tǒng)一朝向。 當(dāng)然這里所說(shuō)的純度一般是僅考慮不含金屬雜質(zhì)的純度，不包括……

在惡劣或強(qiáng)電子干擾環(huán)境中，比如工業(yè)環(huán)境和生產(chǎn)裝配線等等，在這些系統(tǒng)中，機(jī)械設(shè)備、高頻 設(shè)備、火花機(jī)等等會(huì)產(chǎn)出各種干擾和噪聲從而影響其它電源的正常工作。出于對(duì)凈化電源的要求， 比如對(duì)電源質(zhì)量要求比較高的精密儀器設(shè)備特別是傳感器和微弱信號(hào)采集的要求，采用直流隔離 電源是普通和常用的辦法。 直流（或噪聲）隔……

DC/DC 開(kāi)關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。 圖 1—降壓同步開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器原理圖 DC/DC 開(kāi)關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時(shí)擁有一個(gè)高側(cè) FET和低側(cè) FET 的降壓同步開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，如圖 1 所示。這兩個(gè) FET 會(huì)根據(jù)控制